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浅谈双向可控硅的工作原理
- 2018-12-17-

双向可控硅可以看作一对普通可控硅的反向并联集成,其工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极,T1和T2,以及一个栅极G。该栅极使得该器件能够触发在主电极的正方向和负方向的传导。因此,双向可控硅在第一象限和第三象限具有对称伏安特性。双向可控硅门加正负触发脉冲可以使管触发,所以有四种触发方式。双向可控硅的应用是双向可控硅的正常使用。双向可控硅的主要参数需要定量掌握。为了满足各参数的要求,必须正确选择双向可控硅,并采取相应的措施。

耐压电平的选择:VDRM(断路状态重复峰值电压)和VR M(反向重复峰值电压)中的较小值通常被额定为器件的额定电压。当选择时,额定电压应该是正常峰值工作电压的2-3倍,作为允许的工作过电压裕度。

电流测定:由于双向可控硅通常用于交流电路,所以用RMS代替平均值来表示额定电流值。由于可控硅的过载容量小于一般电磁装置,所以一般家用电器用可控硅的电流值是实际工作电流值的2-3倍。同时,可控硅经受断路状态重复峰值电压VD R M和反向重复峰值电压V R R M的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

导通状态(峰值)电压VT M的选择:是可控硅的瞬态峰值电压降,通过该瞬态峰值电压降固定指定的电流量。为了减少可控硅的热损失,应尽量选择VT M较小的可控硅。

维护电流:IH是维持可控硅导通状态所需的最小主电流。它与结温有关。结温越高,IH越小。

抗电压上升率:dv/dt是指关断状态下的电压上升斜率,它是防止误码的关键参数。这个值超过极限可能导致可控硅中的误导现象。A2与G之间的寄生电容由可控硅的制造工艺决定。

 


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