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NXP插件可控硅浅谈恩智浦发布超耐用XR LDMOS射频功率晶体管
- 2018-11-15-

最新的XR系列提供一流的耐用性和高性能,无需增加客户成本NXP插件可控硅。

中国上海,2011年6月15日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)今日发布了最新"超耐用"系列XR LDMOS射频功率晶体管,专用于最恶劣的工程环境。XR系列像钉子一样坚固,可承受工业激光、金属蚀刻和混凝土钻孔等恶劣应用环境。凭借恩智浦业界领先的LDMOS技术,XR系列将LDMOS扩展到了目前为数不多的、仍在使用VDMOS和双极晶体管的某些领域。恩智浦将于本周在美国马里兰州巴尔的摩举行的2011年IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS2011)上展示其首款XR射频功率晶体管BLF578XR(展位号420)。
突发和严重的负载扰动在某些射频应用场合极其普遍。射频功率晶体管应能处理这些扰动,并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在实验室环境下通过引入负载端失配,将失配程度用电压驻波比(VSWR)表示,重现了这些负载扰动。多数基站和广播应用需要"坚固耐用"的射频功率晶体管,要求能在所有相位承受10:1的驻波比。"超耐用"的BLF578XR可轻易承受125:1的驻波比重复测试--这是测试单元目前测得的最高值。这对于某些ISM应用非常关键--通常这些场合要求射频功率晶体管能承受超过100:1的驻波比测试。
恩智浦半导体射频功率产品总监Mark Murphy表示:"我们的新款XR系列具有一流的耐用性,为射频功率开辟全新的市场,而这在以往是不可想象的。此次失配度测试,BLF578XR承受住了125:1的驻波比,测试结果说明了一切。为了进一步展示XR系列的耐用性,我们又重现了多种极端恶劣的工作环境,结果证明BLF578XR的性能没有受到丝毫影响。我们欢迎射频功率工程师亲自验证--无论是亲临IMS2011展会、或是观看我们的‘坚不可摧'视频,也可以在他们自己的实验室中进行验证。恩智浦作为业界领先的量产供应商,拥有超过15年的市场经验。此次推出的LDMOS产品不仅性能卓越,还具有VDMOS般坚固耐用,且无需增加客户成本,必将继续引领高性能射频领域的技术进步。"
新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本,而BLF578则是广播和ISM等众多应用中射频功率晶体管的主力军。在多数应用场合,BLF578XR可以通过简易插装来替代BLF578。
技术特点
BLF578XR采用恩智浦最先进的LDMOS技术制造,专为需要极坚固耐用性的应用场合而设计。
· 频率范围:0-500MHz
· 增益: 24dB(225MHz)
· 效率:70%(225MHz)
· VSWR: 125:1(1200W所有相位)
· 峰值输出功率: 1400W (脉冲)
· 热增强: 0.14K/W
上市时间
恩智浦BLF578XR样片已面世,并将于2011年第三季度量产。更多信息,请访问:http://www.nxp.com/pip/BLF578XR.html
链接
· 坚不可摧的LDMOS BLF578XR(视频)
· 恩智浦BLF578XR产品信息
· 恩智浦广播与ISM用高性能射频功率放大器
· 恩智浦射频手册
关于恩智浦HPRF
恩智浦是高性能射频(HPRF)领域当之无愧的领军企业,每年的射频器件出货量超过40亿件。从卫星接收器、蜂窝基站、广播发射机到ISM(工业、科学和医疗)、航空与国防应用,恩智浦在高性能混合信号IC产品方面遥遥领先,更是高速转换器SERDES串行接口领域公认的领导者。恩智浦提供类型广泛的高速数据转换器产品,包括JESD204A标准CGV、CMOS LVCOMS和LVDS DDR接口。这些高速转换器适用于无线基础设施、工业、科学、医疗、航空与国防等应用。


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