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双向可控硅及其分类
- 2018-11-15-
双向可控硅具有硅整流器件的特性能在高电压、大电流条件下作业,且其作业进程可以操控,被广泛应用于可控整流、沟通调压、尤触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
可控硅的种类:
(1)按关断、导通及操控方法分类:可控硅按其关断、导通及操控方法可分为一般可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO),BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
(2)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
(3)按封装方式分类:可控硅按其封装方式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其间金属封装可控硅义分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(4)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。一般大功率可控硅多选用金属壳封装而中、小功率可控硅则多采川塑封或陶瓷封装。

(5)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为一般可控硅和高频(迅速)可控硅。

为什么可控硅容易击穿?

1、过压击穿:

过压击穿是可控硅击穿的主要因素之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时刻的,即便在几毫秒的短时刻内过压也会被击穿的,因而实践应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所致使的刹那间过压。如果常常发作可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是不是有烧坏或失效的。

2、过流与过热击穿:

其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿即是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部发作热效应,使芯片温度增加,当芯片温度到达175℃时芯片就会失效且不能康复。在正常的运用条件下,只需作业电流不超越可控硅额定电流是不会发作这种热击穿的,由于过流击穿原理是由于温度增加所致使的,而温度增加的进程是需求一定时刻的,所以在短时刻内过流(几百毫秒到几秒时刻)一般是不会击穿的。

3、过热击穿:

这里所说的过热击穿是指在作业电流并不超越可控硅额定电流的情况下而发作的热击穿,发作这种击穿的因素主要是可控硅的辅佐散热装置作业不良而致使可控硅芯片温度过高致使击穿。


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